近日,安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-5......

为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......

提出一种高阶通用对数滤波器的设计方法。通过分析与利用n阶通用电流模式滤波器的传递函数,建立一种新的系统状态空间表达,使用模......