电流增益相关论文
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压VCBO、VCEO的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘......
近日,安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-5......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的“新一代信息产业”的基础和关......
由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,......
利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验.在集电极-发射极电压恒......
低噪声放大器的必要性,不但表现在通讯方面,而且还用它从计算机的磁性装置如磁盘存贮器和磁带中读出数据。因为在数据的读出速度......
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现......
(上接2002年第23期)rn放大器是由晶体三极管或场效应管等具有正向受控作用的器件以及输入信号源、负载电阻、直流电源和偏置电阻等......
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且......
建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结......
期刊
设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件。基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的......
