大信号模型相关论文
随着5G通信系统,下一代6G网络,卫星通信,商业和军事航空电子设备的发展,具有高击穿电压、低介电常数、高功率密度、最佳功率器件、......
采用调制掺杂氮化镓（GaN）异质结结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）在过去的十年中得到了迅速的发展,GaN被认为是高频和大功率相结合的最......
随着5G时代的到来,以硅（Si）和砷化镓（Ga As）材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓（GaN）为首......
随着当今大规模集成电路和无线通信技术的生产和使用,电子信息工业迅速崛起并成为重要高新技术产业。由于电子市场需求的爆炸增长,......
为了满足通讯系统日益增长的性能指标,亟需研发更加强大的微波功率器件。用GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT),因其高频率、......
近年来,新一代半导体材料氮化镓(GaN)具备禁带宽、电子饱和速率高、电子迁移率高、热导率高等优点,使得氮化镓高电子迁移率晶体管(......
近年来,新能源技术和储能技术得以快速发展,传统的单一集中式发电方式正逐渐转向为以集中式为主、分布式为辅的发电方式,集中式发......
微波收发前端组件进一步小型化需求推动了射频微系统的发展。随着射频微系统集成度的进一步提高,亟需所需的射频芯片也能够和传统......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defin......
该文从微波半导体器件的建模出发进行微波宽带功率放大器的设计,其主要目的是通过优化设计放大器的外部匹配电路使其在尽可能宽的......
微波功率放大器在雷达、通信、航空航天、导航等诸多领域有着越来越广泛的应用。然而由于第一代和第二带半导体自身特性的限制,他......
级联系统作为分布式电源系统中最基本的模块联接方式，其稳定性决定了整个分布式系统能否稳定运行。即使保证了每个模块可独立稳定运......
能源形式多样、网架结构灵活的独立电力系统,为独立型微网、空间站、多电飞机以及舰船全电推进系统等技术的发展提供了一种有效解......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度和良好的抗辐射能力等优良特性，决定了它在大功率，高......
随着现代化电子设备对半导体器件高性能、低成本、小型化等要求的进一步提高，基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以及零......
随着通信设备、雷达等系统对器件大功率输出特性需求的逐步增加,第三代半导体材料应运而生。GaN作为第三代半导体材料中的代表材料......
移动通信推动了射频微波半导体器件和电路技术的多项进步。这些进步不仅促成了移动通信革命,也为电路和系统设计人员提供了许多各......
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内......
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模......
