陷阱效应相关论文
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件受制于陷阱效应，建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型（ASM-H......
利用非线性光导开关的雪崩注入模型，讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输......
近些年,低维结构光电转换器件如纳米线电池及二维材料器件因其独特的光电等性质而备受关注,有望在新一代柔性化、微纳化及可穿戴化......
Ga N基微波功率器件具有工作电压高、频率高、耐高温等特点,已经成为雷达、5G通讯等领域的关键核心元器件。随着器件设计技术和制......
本工作借助于微波吸收介电谱检测技术,系统检测了硫与硫加金增感立方体氯化银微晶光电子的时间分辨谱。根据光电子衰减谱随增感条......
本论文主要针对基于P3HT：PCBM体系的有机聚合物太阳能电池，通过瞬态光电流的测量与分析，重点研究体异质结聚合物光伏器件的载流子传输......
在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了不同掺杂浓度以及不同薄膜厚度器......
针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC ......
期刊
