【摘 要】
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本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括
【机 构】
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南京师范大学电气与电子工程学院,美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系,美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系 江苏南京210042,ID83706,USA,ID83706,USA
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本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .
Based on the BSIM standard, this paper studies the modeling and feature extraction methods of modern deep submicron MOSFETs, with emphasis on short channel effects, where the test samples are supplied by Micron (TM) with a minimum channel length of only 0 16 micrometers. Short channel effect, substrate effect and drain sensing barrier reduction effect (referred to as DIBL effect), etc. The results show that the experimental data and BSIM model results are in good agreement to prove the effectiveness of the method and the good application prospects.
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