氧沉淀相关论文
体微缺陷(BMD)是直拉法制备单晶硅片中最重要的缺陷之一,其密度大小对集成电路的良品率有着重要的影响。本文通过对硅片体微缺陷密......
在同时考虑到氧外扩散和沉淀作用的情况下,研究退火后间隙氧分布和洁净区宽度随退火时问的变化。根据同质成核理论,推导最大成核速......
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)......
近年来，在微波晶体管和超大规模集成电路的研制、生产中，已经越来越多地采用在重掺衬底上外延薄层材料，如N／N~+与p／p~+外延结构。采用这......
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样......
目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转......
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂......
用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族......
功率半导体器件在计算机、通信、消费电子和工业控制以及在电力电子等领域获得广泛的应用,它们还在节能减排中发挥着重要的作用。......
采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速......
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度......
研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产......
研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微......
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,......
研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的......
