利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随......

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿......

影响单晶硅的性能的因素较多,其中包括氧含量及其均匀性,这些因素在硅晶体生长过程中不易控制.本文分析了直拉单晶硅生产过程中,对......

对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的......

研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......

研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids......

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ ......

研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZ)中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响 .通过不同温度高温退火后 ,测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微......

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2,是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光......

利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,......

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64h过程中的氧沉淀行为.结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的......