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研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......
研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产......
