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采用直流磁控溅射技术在聚醚醚酮（PEEK）表面制备不同厚度的类金刚石（DLC）薄膜，研究了沉积时间对其表/界面结构、组分、疏水、力学和光透......
采用电化学辅助沉积技术在汽车用MB15镁合金表面制备了超疏水有机硅烷膜,研究了沉积电位、沉积时间和添加剂对膜层显微形貌、膜厚......
二硫化钼（MoS2）是类石墨烯层状材料,由于具有高载流子迁移率、无悬空键、可调控的宽带隙及摩擦系数低等优点,在电子器件领域具有广泛......
铌、钽等过渡金属碳化物具有高熔点、高硬度、高耐磨性及良好的化学稳定性等优点，被广泛应用在各个领域。NbC和TaC为涂层材料使用不......
近些年来对绿色能源的需求推动了光伏产业的快速发展，而太阳能电池作为光电转化的核心器件受到了广泛的关注。目前硅基电池是商业化......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
在光伏领域中,晶体硅(包括单晶硅和多晶硅)太阳电池一直在市场中占有主导地位(约占95%以上),但是由于晶体硅是体材料,在太阳能电池......
采用乙烷气体辉光放电法在单晶Si衬底上制备了名义厚度分别为75,150和250nm的类金刚石碳(DLC)薄膜,除沉积时间外其他工艺参数完全......
以正硅酸乙酯为SiO2绝缘介质前驱体,FeSi5Cr5.5合金球形粉末为基体,研究了流态化气相沉积中FeSi5Cr5.5/SiO2核壳结构的形成时间及......
本文主要研究了表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si表面沉积的Ti薄膜结构的影响.......
依据等离子体物理学中气体放电理论基础,将气体放电引入强辉弱弧区间时,镀料粒子会以“碰撞电离加阴极热电子发射”方式脱离靶面,......
本论文全面介绍了节能镀膜玻璃,特别是低辐射镀膜玻璃的发展概况、节能特性、原理、低辐射膜的种类以及常用的制备方法等,并总结得......
纤锌矿半导体ZnO在近十年吸引了大量的注意,宽禁带(3.37eV),很大的结合能(60meV)等特点使其在光电、铁电、热电、压电、催化、传感......
近年来，铝阳极氧化形成的具有独特结构的多孔氧化铝膜(PAA)正逐渐引起人们的重视。利用阳极氧化铝膜为膜板，在用于研制诸如光学元件......
本文利用热蒸发方法在硅(111)表面上,通过调节加热电流控制铋薄膜的生长速度,改变蒸发时间和观测石英晶振频率,来制备各种厚度的半......
随着信息技术的迅猛发展,光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一。ZnO是一种多功能的半导体材料,激子束缚能高达60meV,是一种......
作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料，ZnO禁带宽度达到3.37eV，在可见光波段的透过率很高，可高达90%以上，且具有原材料丰富、价格低......
20001201 原位退火时磁控溅射Nd1ea2Cu3O7-δ薄膜的影响——Mori Z．Thin Solid Films，1999，354(1～2)：195(英文)rn NdBa2Cu3O7-δ(NBC......
在普通玻璃基板上利用常压化学气相沉积法在580℃条件下制备得到了氮化钛薄膜。对薄膜的结晶性能、断面形貌、方块电阻以及光学透......
