【摘 要】
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作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料，ZnO禁带宽度达到3.37eV，在可见光波段的透过率很高，可高达90%以上，且具有原材料丰富、价格低、无毒、易于实施掺杂，在氢、氮等气体的等离子体气氛中稳定性要优于ITO薄膜等优点。因此，ZnO基透明导电薄膜特别是其掺杂体系被认为是迄今为止最具发展前景的ITO薄膜替代品。对掺杂ZnO薄膜进行研究具有很大的现实意义和实用价值，因而引起了人们日益广泛的关注并成为
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作为一种直接带隙宽禁带化合物半导体材料，ZnO禁带宽度达到3.37eV，在可见光波段的透过率很高，可高达90%以上，且具有原材料丰富、价格低、无毒、易于实施掺杂，在氢、氮等气体的等离子体气氛中稳定性要优于ITO薄膜等优点。因此，ZnO基透明导电薄膜特别是其掺杂体系被认为是迄今为止最具发展前景的ITO薄膜替代品。对掺杂ZnO薄膜进行研究具有很大的现实意义和实用价值，因而引起了人们日益广泛的关注并成为研究热点。本论文主要以ZnO作为基质材料。首先采用电子束蒸发方法在石英玻璃衬底上制备质量优良的Z
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