应变量子阱相关论文
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。......
1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积......
利用Model-solid及Harrison两种模型计算不同势垒材料的InGaAs量子阱的能带偏置比，选择出适合于计算InGaAs量子阱能带偏置比的模型......
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Lutti......
本文对低维半导体结构的设计、可控性制备及性质进行了研究。主要内容如下： 1、以Fick扩散方程为基础，对多周期超晶格结构中的Al......
光泵外腔面发射半导体激光器综合了面发射半导体激光器能输出TEM模圆形光斑的优点和光泵固体激光器能输出高功率的优点，还可方便地......
本论文"GaAs基低维应变异质结和多周期结构的MBE制备及特性研究”的内容包括:MBE系统原理与外延材料的表征方法、InGaAs/GaAs多量......
近年来，光泵浦半导体激光器在远程通信、生物医学诊断、照相洗印等领域得到了成功的应用。光泵浦半导体激光器之所以受到大家的青睐......
本文研究了应用MBE技术生长InGaAs/GaAs应变量子阱作为OPS-VECSEL的有源区，从MBE设备稳定性，结构设计，生长实验，性能测试，以及生长停顿......
用6×6Luttinger-Kohn模型结合平面波展开方法计算了应变量子阱材料的价带结构,分析了用来展开的平面波的数目和周期对能量本征值......
采用低压金属有机化学气相外延设备进行了 1 3μm压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱材料的生长研究 .通过x射线......
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术......
报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器 (SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益 ,使之接近TE模的增益 ,从而使SOA的偏......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转......
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二次......
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应......
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表......
从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的......
采用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)设备生长并制作了 1 5 5 μmAlGaInAs InP偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变......
对于GaInP/AlGaInP量子阱激光器,在大电流注入或高温工作时有源区中注入的电子会越过势垒进入p型限制层成为漏电流,严重影响器件的......
