采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。......

左手材料是一类介电常数和磁导率同时为负值的人工电磁超介质材料，具有一系列常规材料所不具有的独特的电磁特性（负折射效应、突破衍......

利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化.基于自洽场理论,可以求出瞬态探测光吸收系数.这一......

简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应......

详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同......