基片温度相关论文
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和......
１引言 以硅化铁为中心的金属硅化物薄膜可以采用溅射、真空蒸镀、分子束外延技术、离子注入等诸多方法制作，并对其单晶性能和电子结......
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态......
采用电子束沉积技术成功制备了以碱土金属硫化物为基质材料、稀土元素离子作为激活中心的输出红光的红外上转换及光存储薄膜材料ＣａＳＥｕ，Ｓｍ。......
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
电致变色材料及器件在节能窗、变色车窗、军事防伪等方面均有着广阔的应用前景,在无机变色器件中常选择氧化钨作为主变色材料,但大......
基于实际应用的需要,本论文主要研究了如何在坡莫合金薄膜尽可能薄的情况下,提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)及磁性能的方法,......
本文用苯作工作气体，在一个微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜(a-C:H)。对苯等离子体作......
采用直流反应磁控溅射的方式,用AlCr合金靶,在高速钢(M2)上沉积CrAlN涂层。采用扫描电镜、X射线衍射、能谱和纳米压痕仪等分析和测......
采用离子束溅射方法在玻璃基片上制备了一系列的ＣｏＳｉＯ２ 颗粒膜样品，并对样品的巨磁电阻效应进行了研究．在Ｃｏ３５（ＳｉＯ２）６５（ 体积百分比） 颗粒膜样品中，观测......
用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测......
对射频反应性溅射Cd In合金靶制备的透明导电CdIn2 O4薄膜 ,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱 ......
Sol-Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN 单晶作为靶材,用PLD技术在透明石英单晶(100)基片上制备高取向透......
在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并......
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅......
报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB......
