直接带隙相关论文
在化学元素发现史上，镓是第一个先根据元素周期律预言，后在实验中被发现证实的化学元素。镓在地壳中的含量仅为0.0015%，镓的熔点很低（2......
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计......
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
几乎所有的电子设备都要依靠硅，但是硅却使电子工业的发展陷入了瓶颈。硅会被淘汰么？也许不会，因为改头换面的“新硅”能够挽救这一老......
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关......
随着集成电路产业的发展,研制高性能Si基光电集成电路对于解决集成电路发展的瓶颈问题尤为重要。而锗（Ge）材料由于其直接带与间接带......
具有非中心对称(NCS)结构的二维材料展现出独特的光电特性,诸如压电性能、铁电性能、非线性光学和热电性能,这些性质具有重要的应......
利用超声震荡在有机溶剂中制备了薄层的二硫化钼(MoS2)二维层状材料,使用振动样品磁强计测量了其磁性,分析了其弱的铁磁性的来源。......
GaN是优越的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅲ-Ⅴ族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广......
