内量子效率相关论文
为了提高AlGaN基深紫外发光二极管（light emitting diode， LED）的内量子效率（internal quantum efficiency， IQE），本文采用了基于InAlGaN/......
聚3-己基噻吩（P3HT）以其合成工艺简单、成本低廉的优势，成为有机光伏领域中最具吸引力的电子给体材料之一。然而，目前P3HT:非富勒烯太......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管（LEDs）和激光器二极管（LDs）。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀......
以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......
分别用黄色、红色荧光粉和黄色、红色、绿色荧光粉制备了两种高显色指数白光发光二极管（LED）,调整荧光粉的比例使显色指数达到最高。......
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,......
随着集成电路产业的发展,研制高性能Si基光电集成电路对于解决集成电路发展的瓶颈问题尤为重要。而锗（Ge）材料由于其直接带与间接带......
氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源,应用于各个领域,如固态照明、平板显示、交通汽车、......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
发光二极管（LED）诞生于20世纪中期,发展至今,LED的应用已经是随处可见,被誉为人类的第四代照明器件。LED具备响应时间短、光谱可调范......
通常有机材料被认为是绝缘体,但是随着科学的进步,科学家们不但发明了可以导电的有机材料,还发现某些有机材料通电可以发光。自
O......
热光伏技术正在迅猛发展，提升其核心器件，即热光伏电池的能量转换效率对热光伏技术发展的重要性不言而喻。本论文从多个方面研究了提......
本文首先对发光二极管(LED)材料性质和发展瓶颈进行了简单陈述，又介绍了APSYS软件的基本原理和模型，并对LED内量子效率下降(DE)问题......
采用湿化学方法对硅片背面抛光钝化,研究背腐蚀对硅片各项性能、电池电性能的影响.通过分析腐蚀后硅片表面形貌、反射率及电池电性......
用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱，采用扫描电子显微镜( SEM )观测其形貌，室温下光致发光( PL)谱测量研究样品发光......
对Zn在N-GaSb晶片中的扩散过程进行了实验研究和分析。实验中采用“准密封”扩散方法,使用纯Zn和纯Sb作为扩散源,通过SIMS(二次离......
