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V型坑相关论文
InGaN量子点/量子阱复合结构的形成机理及光学性质研究
InGaN/GaN量子阱已被广泛应用于蓝色、绿色甚至黄色光谱范围的发光二极管(LEDs)和激光器二极管(LDs)。但是,当发射波长从蓝光转变到绿......
学位
量子点/量子阱复合结构
V型坑
量子限制斯塔克效应
非辐射复合中心
内量子效率
MOCVD
有源区生长工艺对Si衬底GaN基绿光LED光电性能影响的研究
GaN基LED因其发光波长可实现从红外到紫外连续可调,已被广泛应用于固态照明领域。然而,不同波长LED发光效率发展极不平衡。目前GaN......
学位
硅衬底
GaN基LED
V型坑
量子阱
量子垒
准备层
光电性能
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