氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下具有3.37 e V的禁带宽度。相比于第三代半导体材料Ga N,ZnO具有更大的自由激子结合能......

缺陷和掺杂影响半导体材料的性质，同时对其应用起到了决定性作用。由于纤锌矿的ZnO是直接带隙半导体，其带隙的宽度为3.37eV，这在原则......

ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料有着诸多光电方面的优异特性，室温下的禁带宽度为3.36eV，激子束缚能高达60meV，远远高于室温热能26......

ZnO为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能，在许多领域都有广泛的应用。近年来ZnO在光电领域的应用引......

d0铁磁性是近年来出现的一种新的磁现象，它突破了传统的由部分填充的d或f电子的磁性原子所构成的磁性材料，实现了非磁物质的室温铁磁......

ZnO作为一种直接宽带隙半导体化合物材料，在室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，在蓝／紫外发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）以及......

采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试......

采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应,在石英玻璃衬底上沉积了Cu/Al原子比不同的p型透明导电铜铝氧化物.XRD分析结果表明,样品的......