本征缺陷相关论文
氧化铟（In2O3）作为一种透明导电氧化物（TCO,Transparent conducting oxide）材料,由于其优异的透明导电性能和气敏性能,已经在太阳能电......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下具有3.37 e V的禁带宽度。相比于第三代半导体材料Ga N,ZnO具有更大的自由激子结合能......
本文通过基于密度泛函理论第一性原理计算的“转移真实态模型”系统地研究了黑磷烯、黑砷烯和单层Ge S中所有本征点缺陷的基础性质......
由于石墨烯这种二维材料成功制备后其显示的巨大的新奇特性,人们发现了石墨烯在电磁器件中的潜在应用,同时也深入了对其它新型二维......
金刚石作为超宽禁带半导体材料被用于制备耐高温的高频大功率电子器件。此外,金刚石缺陷色心在量子信息处理、生物标记等领域具有......
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控,有望构筑未来实用化的自旋量子器件,是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近几......
氧化镓（β-Ga2O3）因其本身良好的稳定性、超宽带隙（4.9 eV）和优良的物理化学特性广泛应用于光电器件、气敏传感器、能源催化、以及日盲......
β-Ga_2O_3作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,它具有4.9 e V的禁带宽度、8 MV/cm的高击穿电场以及优良的Baliga品质因数等出色的......
长余辉材料是一种在光激发停止后仍可持续发光的特殊光致发光材料,主要应用于安全照明和生物医学检测等领域。本文围绕本征缺陷在M......
硒化镉(CdSe)具有优良的光电性质,是应用最为广泛的半导体材料之一。本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝式法,在......
掺Yb石英光纤激光器因具有高的输出功率和光-光转换效率,高的可靠性和好的光束质量以及体积小质量轻等优点,已经被广泛应用于太空......
自工业革命以后,能源危机和环境污染已经成为人们日益面临的两大疑难问题。寻找一种利用清洁太阳能将CO2和H2O转变为碳氢化合物的......
中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈......
信息时代的快速发展使得电子产品逐渐普及,激活了庞大的存储器产品市场,进而推动了半导体技术的不断革新,将半导体技术节点继续向......
ZnO是当今短波光电材料研究领域的热点，深入研究掺杂对光电子材料的稳定性和对光电性质的影响是十分必要的。本文利用第一性原理对Z......
酸锂晶体（LiNbO3简写为LN）是一种在诸多领域都得到重视的光折变材料，特别是在光学体全息存储领域有着卓越表现，因而很多人认为其可以作......
ZnO是直接宽禁带半导体,具有3.37eV的禁带宽度和60 meV的自由激子束缚能,有望实现高效激子发光,且其资源丰富、制作成本低、无毒、......
碳纳米管自发现以来,由于其独特的物理和化学性质,一直是化学、物理、材料科学和纳米技术等多个领域的研究热点。然而,在碳纳米管......
近几年，随着拓扑绝缘体的研究与发展，传统的Bi2Se3类和Hg1-xCdxTe类材料再次成为关注的焦点。实验中生长的材料都不可避免地引入缺陷......
该文第一章综述了光电子技术的发展概况、同质结激光器的工作原理,半导体材料中的受激吸收、自发发射和受激发射在光电子器件中的......
钒基合金具有良好的低活化特性和耐高温特性等优点,可应用于未来核聚变堆中第一壁结构材料。在高能辐照下,第一壁材料内部会产生大......
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计......
在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反......
在已有PbWO4晶体势参数的基础上,根据势参数的可转移性,用GULP软件拟合出PbMoO4(PMO)晶体的势参数.利用这些参数计算了PMO的晶格生......
ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有较高的激子结合能(60meV),室温下激子仍然存在。由于其结构特点及优异的光电性能,ZnO在微......
