施主缺陷相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

施主缺陷相关论文

施主缺陷(Zni,C)对ZnO:N薄膜光电特性的影响

ZnO作为一种直接宽带隙半导体化合物材料，在室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，在蓝／紫外发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）以及......

学位

氧化锌薄膜 p型导电施主缺陷射频磁控溅射光电特性

P型氮掺杂ZnO薄膜的光学特性研究

以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学......

期刊

磁控溅射 P型ZnO 红移施主缺陷受主掺杂

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