热氧化法相关论文
本文在综述硅基SiO2薄膜研究进展、表征方法、研究方法的基础上,着重研究用热氧化法和等离子体化学汽相沉积法（PECVD）制备硅基SiO2薄......
在钛片上用二茂铁化学沉积（CVD）制备了多晶α-Fe2O3光电极。这种电极的工作光谱延伸到670nm,大大超过了与其能带间隙相对应的550nm。......
微生物燃料电池(MFC)是一种利用细菌通过生物质产生电能的新方法,其产电性能受反应器构型、电极材料、基质的直接影响,底物因能为M......
微纳米薄膜材料广泛应用在纳米制造、微电子、新材料、环境监测、超精密加工等领域。近年来,随着精密工程和微纳技术的快速发展,越......
宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，是发展短波长、低阈值发光/激光二极管（LEDs/LDs）的理想候选材料之一。然而，稳定的......
本文采用热氧化法（thermal oxidation method）和固相反应法（solid state reaction method）制备了纳米ZnO/Co3O4、SnO2/Co3O4复合氧化物......
随着电子设备的广泛应用带来的电磁污染问题和军事领域对隐身材料的需求,电磁波吸收材料得到了快速发展。近年来,碳材料在电磁波吸......
d0铁磁性是近年来出现的一种新的磁现象，它突破了传统的由部分填充的d或f电子的磁性原子所构成的磁性材料，实现了非磁物质的室温铁磁......
本文主要研究了氧化铜纳米线(CuO NW)器件和铜氧化物薄膜器件的电阻开关特性。首先,采用热氧化法制备了大量的CuO NW,利用一种简单......
本论文利用热氧化法和直流反应磁控溅射法制备氧化钒薄膜,主要研究热氧化温度、溅射电流、Ar/O_2流量比等实验参数对氧化钒薄膜物......
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氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,室温下氧化锌的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60 me V,远高于室温离化能(26 me V),使得其......
采用离子束辅助沉积方法在95％(质量比)Al2O3基板上制备Cu薄膜,利用热氧化法使Cu薄膜氧化,并与Al2O3基板反应,制备出CuAl2O4薄膜.通......
在低真空及亚高温(200～300℃)下.通过热氧化法在Si单晶基底上合成了呈准直阵列的椎形结构的氧化铌(NbOx)非晶结构纳米薄膜,薄膜经热......
