【摘 要】
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我们研究了磁场强度对诸如C/GaAs、In/GaAs、Fe/GaAs晶体的杂质分布以及对LEC GaAs、InP单晶的原生缺陷、半绝缘特性的影响。根据这些结果,以数字模拟为基础,我们采用程控磁
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我们研究了磁场强度对诸如C/GaAs、In/GaAs、Fe/GaAs晶体的杂质分布以及对LEC GaAs、InP单晶的原生缺陷、半绝缘特性的影响。根据这些结果,以数字模拟为基础,我们采用程控磁场LEC技术论证了沿生长轴向杂质分布的可控性。
We investigated the effect of magnetic field strength on impurity profiles such as C / GaAs, In / GaAs, Fe / GaAs crystals, and primary defect and semi-insulating properties on LEC GaAs, InP single crystals. Based on these results, based on numerical simulations, we demonstrate the controllability of the distribution of impurities along the growth axis using Programmable Magnetic Field LEC techniques.
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