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目的:
探讨Motldini畸形患儿人工耳蜗植入术后EABR特点,以明确EABR在Mondini畸形患儿术后应用价值。
材料与方法:
回顾分析我院2005—2009年行人工耳蜗植入术的Mondini畸形患儿临床资料,选取其中Mondini畸形患儿9例(9耳)和内耳发育正常患儿11例(11耳),20例患者术后随访均在1年以上,选取3,10,20电极分别行阻抗、神经反应遥测(Neural response telemetry,NRT)、电听性脑干反应(Electrically evokedauditory brainstem responses,EABR)检测及听觉主观阈值(T—leVel,T值)的测定。将患者分为A、B两组,B组为Mondini畸形患儿,A组为内耳发育正常患儿,对EABR波V阈值、EABR波V潜伏期及T值进行分析及比较。
结果:
1.20例患者的NRT结果:A组11例患儿均检测出Ⅰ、Ⅱ型ECAP,B组9例患儿中,5例患儿在改变参数下检测出出可辨别ECAP波形,其余4例患儿无法检测出可靠波形。
2.20例患者的EABR结果:
1)A组患儿全部记录到EABR波形,B组患儿9例中8例记录到可靠EABR波形。
2)A组所测EABR波V阈值在20、10、3电极间存在显著性差异(P=0.003,P<0.05),其中20电极与10电极间存在显著性差异(P=0.001,P<0.05),20电极与3电极间存在显著性差异(P=0.033,P<0.05),10电极与3电极间无显著性差异(P=0.126,P>0.05),20电极阈值较10、3电极低。所测EABR波V潜伏期在20、10、3电极中无显著差异(P=0.900,P>0.05)。
B组所测EABR波V阈值,20、10、3电极间无显著差异,所测EABR波V潜伏期20、10、3电极间无显著性差异。
3.A、B两组之间EABR V波阈值:20、10、3电极EABR波V阈值A、B两组之间分别有显著性差异,P<0.01。B组阈值明显高于A组。20、10、3电极EABR波V潜伏期在两组之间均无显著性差异,P>0.05。
4.A、B两组EABR V波阈值与T值关系:EABR V波阈值与T值的差值无统计学意义(p>0.05)。
结论:
1.对A组中11例患儿与B组中9例患儿进行了人工耳蜗植入术后的EABR、NRT检出率的比较分析:
1)两组均可引出EABR波形,检出率达100％。
2)A组全部可引出NRT,检出率为100％；B组5例患儿可引出NRT,4例患儿无法引出,检出率55.6％。
2.人工耳蜗电极所在耳蜗位置(蜗顶、蜗中、蜗尖)在A组中对其EABR检测阈值有影响,对B组患者的EABR检测阈值及潜伏期无明显影响,
3.EABR检出的阈值,B组明显高于A组。EABR检出的潜伏期A、B两组无差异。
4.EABR检测可以应用在Mondini畸形患儿的人工耳蜗植入术后的Mapping调试。