【摘 要】
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Ⅱ-Ⅵ族/有机胺杂化物自近十几年被发现以来,引起了很多材料研究者的兴趣。它的无机组分与有机组分交替有序排列,通过金属-氮配位键或分子问作用力形成层状杂化半导体结构,此
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Ⅱ-Ⅵ族/有机胺杂化物自近十几年被发现以来,引起了很多材料研究者的兴趣。它的无机组分与有机组分交替有序排列,通过金属-氮配位键或分子问作用力形成层状杂化半导体结构,此类结构在光学、电学和磁学方面具有特殊性能。 Ⅱ-Ⅵ族/有机单胺杂化半导体具有显著的量子限域效应、独特的结构和可调控的光学性质。其多方面优异性能有望应用于高性能光电器件。本文首次将Ⅱ-Ⅵ族/有机单胺杂化发光材料制备成薄膜,并探索该类材料的成膜工艺,采用旋涂法组装了一系列光学性质优良,可控调节的薄膜材料。 本文研究内容主要包括如下两部分: 1.在150～170℃下溶剂热合成一系列(ZnE)2-L(E=Se,S;L=正己胺ha,正辛胺oa,十二胺dda)杂化物,并成功实现锰离子掺杂,形成具有高效发光性能的Ⅱ-Ⅵ族/有机单胺掺杂发光材料。通过元素分析、粉末X-射线衍射和扫描电镜分析表征了其组成、结构物相和形貌。通过荧光光谱和紫外.可见吸收光谱研究了其光学性质。通过电子顺磁共振和热重分析,研究了其锰离子掺杂的配位环境和热分解行为。最终制得一系列适合制备薄膜的(zn0.95Mn0.05E)2·L半导体发光杂化物。 2.选择Ⅱ-Ⅵ族/有机单胺杂化材料制备薄膜,这得益于该类材料有机层间较弱的分子间作用力,使得层状材料易于剥层从而制备薄膜。通过在预处理过的石英基片上采用旋涂沉积杂化物分散溶胶,逐层沉积制备杂化物薄膜。随着旋涂层数的增加,薄膜的紫外-可见吸光度和锰离子掺杂发光强度与沉积层数呈规整的线性增长关系。薄膜的粉末X-射线衍射图和扫描电镜图观察显示制备的薄膜物相未改变,表面连续均匀。杂化物薄膜和粉术的荧光寿命都为2 ms,大于双胺杂化物的荧光寿命。 结果表明旋涂法制备这类杂化物薄膜的方法可行,对薄膜的制备工艺方面的研究使得调控薄膜的层数与发光强度成为可能,为新型发光薄膜器件的开发提供了研究基础,具有重要意义。
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