【摘 要】
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该论文利用新型的金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)在蓝宝石、Si、InP和金刚石/Si等衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,研究了退火和掺杂对ZnO薄膜特性的影响.具体研究内容及创新
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该论文利用新型的金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)在蓝宝石、Si、InP和金刚石/Si等衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,研究了退火和掺杂对ZnO薄膜特性的影响.具体研究内容及创新工作如下:1.根据MOCVD的原理和生长ZnO薄膜的具体要求,参与设计和组装了具有我们自己知识产权的生长ZnO薄膜的等离子增强MOCVD系统.2.在国内,首次利用MOCVD系统在c-Al<,2>O<,3>衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.3.在c-Al<,2>O<,3>衬底上生长的ZnO薄膜中观察到光泵浦紫外激射现象,激射峰线宽小于0.6nm.泵浦光斑直径20μm下的激射阈值为0.24μJ.4.在(001)Si衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,其生长为c方向单取向生长.5.在国内外,首次用MOCVD在金属石/Si上利用两步生长法生长出高质量的ZnO薄膜,在(001)InP衬底上低温生长出较高质量的ZnO薄膜.6.研究了退火对ZnO薄膜的影响.
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