【摘 要】
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该课题对张应变材料做了深入细致的研究,最后通过优化的生长条件,生长出了高质量的量子阱材料.生长的张应变六个量子阱SOA结构的室温PL谱、其半宽为25mev,而且出光很强.双晶x
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该课题对张应变材料做了深入细致的研究,最后通过优化的生长条件,生长出了高质量的量子阱材料.生长的张应变六个量子阱SOA结构的室温PL谱、其半宽为25mev,而且出光很强.双晶x-ray衍射谱可以比较清楚的看到8级以上的卫星峰,而且干涉条纹清晰可见,SEM照片可以看到各外延层生长非常均匀,界面陡峭,所生长的材料已接近国际先进水平.我们在优化的生长条件下,针对我们的COCVD设备,对InP基半导体材料的生长参数做了较为系统的研究,建立了一套较为完整的实验数据.根据理论设计偏振不灵敏光放大器的结构参数,生长放大器结构,实验中我们得到了一种简单而有效的调整偏振不灵敏的方法,即通过分析宽接触激光器的功率输出特性分析,判断应变量的大小,最终调试出偏振不灵敏光放大器结构.调节偏振不灵敏时,只需把SOA全结构片制备成宽接触激光器就够了,不需要做成条形,所以节省了很多工艺.
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