【摘 要】
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有机电致发光二极管(OLED)因其在全彩平板显示技术中的巨大潜力,近年来引起人们的广泛关注。目前,人们研究的热点集中在提高器件的性能和稳定性方面。有机电致发光器件的性能
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有机电致发光二极管(OLED)因其在全彩平板显示技术中的巨大潜力,近年来引起人们的广泛关注。目前,人们研究的热点集中在提高器件的性能和稳定性方面。有机电致发光器件的性能和载流子的注入有着密切地关系。研究表明为了实现空穴的有效注入,阳极的功函数必须与邻近的有机材料的最高占有轨道(HOMO)相匹配。而通常使用的阳极材料铟锡氧化物(ITO)与典型的空穴传输材料的HOMO能级并不匹配。对ITO进行表面进行处理可以提高ITO功函数、实现载流子的平衡注入。
在众多处理手段中,等离子体处理作为一种有效的表面处理方法被广泛研究。本论文结合实验室的基本条件,使用PECVD设备,利用N2O和N2等离子气体处理ITO表面,并对不同气体ITO表面处理后的OLED器件性能做了深入的研究,主要包括以下内容:
1.首次在PECVD设备中分别采用N2O和N2等离子气体处理ITO表面,并研究气体处理后的ITO制备的OLED器件的性能,发现同不做任何表面处理的OLED器件相比,经过N2O等离子体ITO表面处理后的OLED器件,其光电性能有较大的提高；经过N2等离子体ITO表面处理后的OLED器件,其光电性能略有下降。
2.进一步优化N2O等离子体ITO表面处理的工艺参数,通过优化发现在腔体压力、气体流量、处理时间和电源功率分别设定为30 Pa、50 sccm、10 min和50 W时,处理后的器件同未作处理的器件对比,启动电压从11.1V减低到8.6V,亮度从42 cd/m2提高到50 cd/m2。
3.最后,我们从理论上分析了N2O等离子体ITO表面处理和N2等离子体ITO表面处理对器件性能影响的原因。
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