【摘 要】
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该论文在成功地制备高质量的取向生长的PZT/SiO/Si集成薄膜的基础上,针对不同的工艺条件,对集成薄膜的结构和性能进行了系统的测试和分析,着重讨论了工艺-结构-性能之间的关
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该论文在成功地制备高质量的取向生长的PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜的基础上,针对不同的工艺条件,对集成薄膜的结构和性能进行了系统的测试和分析,着重讨论了工艺-结构-性能之间的关系;同时,对电滞回线和电容特性进行了研究,分析了铁电极化特性和铁电-半导体界面行为.从而达到了对此类结构较为深入和全面的认识,为金属-铁电-半导体集成薄膜器件的开发打下一些理论和实验基础.第一章综述了集成铁电学的发展和研究概况;第二章主要讨论PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜制备工艺;第三章主要研究了所制备的PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜的结构和表面形貌,讨论了这些性能与工艺条件的关系;第四章是在测试的基础上讨论了PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜的铁电性能;第五章讨论了铁电-缓冲层-半导体结构的电容-电压特性.
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