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目前，OLED在显示与照明领域已经实现工业应用上的量产，但是OLED仍然存在一些问题。尤其是WOLED，其发光效率、效率下降及光谱稳定性等问题亟待解决和提高。基于此，本论文重点围绕WOLED进行研究，从新的器件结构设计（量子阱结构）和新的发光机理应用（热活化延迟荧光）两方面入手，旨在提高WOLED效率、改善效率下降和实现稳定的白光发射光谱。为此，进行了如下三部分的研究: 第一部分:首先设计红光发射的量子阱结构磷光OLED，以初步研究量子阱结构对器件性能的影响。和传统器件结构相比，效率提高了21％。发现量子阱结构对载流子和激子有一定的限制作用。进而，为了探究不同类型量子阱结构对器件性能产生的影响，首次分别设计了荧光/磷光混合的三色发光Ⅰ型和Π型量子阱结构WOLED。发现Ⅰ型比Π型量子阱结构能更好的将电子和空穴限制在发光势阱层，从而提高了载流子复合效率。但是WOLED光谱稳定性较差，发光峰随电压的升高出现明显的强弱变化。最后，通过更加深入的设计，实现了高光谱稳定性的两色发光Ⅰ型量子阱结构WOLED。电压从8V到14V，CIE坐标的变化只有(0.397±0.002，0.414±0.008)，发现这是因为量子阱结构平衡了载流子在发光层的传输。同时，器件改善了在高电流密度下的效率下降，效率下降减少了～15％。发现这是由于量子阱结构将载流子和激子限制在各个发光层;同时，量子阱结构稀释了整个发光层的激子浓度，从而减少了TTA。 第二部分:通过时间分辨PL光谱和瞬态PL衰减特性分析，得到了热活化延迟荧光(TADF)发射的蓝光和橙光激基复合物。进而设计了有效的电荷产生层，实现了激基复合物TADF发射的叠层橙光OLED。在此基础之上，最终设计出全激基复合物TADF发射的叠层WOLED，器件实现了最大9.17％的EQE，远高于前人所报道的激基复合物发射WOLED。发现高效率的获得归因于蓝光和橙光激基复合物TADF的贡献。同时，WOLED展示了高光谱稳定性的暖白光发射，电压从6V到14V，CIE坐标的变化只有(0.41±0.003，0.44±0.002)，发现这是由于载流子在发光层平衡的传输和复合实现的。接下来，采用分子内TADF材料作为蓝光发射主体，传统荧光材料作为橙光发射掺杂剂，设计了单层荧光WOLED。通过浓度控制，实现主体到客体不完全的能量传递，得到主体和掺杂剂同时的发光，从而获得白光的发射。所得WOLED达到了突破荧光EQE上限(5％)的最大7.48％的EQE。通过瞬态PL衰减特性分析，发现高效率的实现归因于TADF主体的三重态激子上转换。同时，器件展现了非常稳定的白光发射光谱，从5V到8V，CIE坐标只从(0.359，0.439)变化到(0.358，0.430)，发现这是由于主体材料中给受体单元的设计平衡了载流子在发光层的传输和复合。 第三部分:采用TADF发射的激基复合物TCTA:3P-T2T为主体，传统荧光材料DCJTB为掺杂剂，设计并实现了超高效率的红光发射荧光OLED。最大亮度、电流效率、功率效率和EQE分别高达22767cd/m2、22.7cd/A、21.5lm/W和10.15％。而10.15％的EQE远高于前人所报道的DCJTB发射荧光OLED。瞬态PL衰减特性分析揭示了高效率的实现是由于TADF激基复合物主体的三重态激子上转换和主体到客体有效的F(o)rster能量传递。下一步计划利用高效率DCJTB的发射，设计出高效率、高光谱稳定性的WOLED。