【摘 要】
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采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2；测试结果表明探测器具有良好的光响应,在1.31μm波长下,0V和-1V偏压下响应度分别为0.37mA/W和0.38mA/W,1.55μm的光响应为0.21A/W。探测器的高频特性测试表明,台面直径30μm的探测器,0V,-1V和-3v 下 3dB带宽分别为4.72GHz,5.38GHz和6.28GHz。
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