【摘 要】
：
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度
【机 构】
：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春 130033
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在略微的波长红移,其辐射寿命没有明显的改变。根据II型和I型的特征,2.0和3.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶分别被认为足II型和I型核壳纳米晶。
其他文献
采用金属Ti插入层在氧化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。金属Ti插入层有助于晶体质量的提高,X射线衍射测量发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽只有260 arcsec。扫描电子
本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响
本文介绍了中红外波段的量子级联激光器表面等离子体波导的波导损耗、限制因了以及远场分布的优化计算。通过适当改变有源层和金属电极层之间的InGaAs接触层的厚度和掺杂浓度
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。
在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在本文所涉及的工艺
采用改进的Bridgman法生长出尺寸为Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体,沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试,在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生
传统的“填鸭式”英语教学方法是在应试教育模式下发展起来的一种教学方法,学生只能被动的去接受教师传授的知识,缺少了学习的积极性,学习效率不高。如今,全球化进程不断加快
他们，是中文网上图书商城的巨头，也是中国最富有的夫妇之一。 2010年12月8日，当当网在纽交所上市，公司市值23.3亿美元。作为联合创始人兼执行董事，俞渝持股5.1%。这一天，她个人名下的账面财富超过了1亿美元。而他的先生、当当网CEO李国庆持有39%的股份，差不多是夫人的8倍。 咸鸭蛋立下汗马功劳 他们，从相爱到结婚，只用了三个月的时间。就像他们做生意，不会拖泥带水，
本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线
以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切