【摘 要】
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在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在本文所涉及的工艺
【机 构】
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西安交通大学,电子与信息工程学院,陕西,西安咸宁西路28号 710049
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在本文所涉及的工艺参数范围内,Ni/Zn复合金属镀层上二维纳米石墨片的生长效率最高,且在部分区域具有碳纳米墙形貌特征。TEM分析表明,所生长的二维纳米石墨片具有大量皱纹,且皱纹具有指纹形的石墨层状结构。纳米尺度的皱纹随机分布于整个二维纳米石墨片中,与超薄石肇烯自然形成的皱褶存在显著区别。根据指纹形皱纹的最大层数估计石墨片的厚度在10纳米左右。这种多皱纹纳米石墨片反映了催化剂对二维石墨生长的影响。这种材料除了可作为场发射冷阴极外,在催化剂载体以及气敏传感器等领域可能都有着重要应用。
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