【摘 要】
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本文采用软件模拟的方法,在对浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的正反向电学特性模拟的基础上,完成了器件结构的优化设计。与常规肖特基势垒功率二极管相比,该器件具有高掺
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安 710046
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用软件模拟的方法,在对浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的正反向电学特性模拟的基础上,完成了器件结构的优化设计。与常规肖特基势垒功率二极管相比,该器件具有高掺杂的漂移区及其嵌入式浮结结构的特点。在保证高的反向耐压的同时又使正向导通电阻最小化,较好地解决了常规器件的正向导通压降和反向耐压的矛盾。为了提高反向漏电流的准确性。模拟中使用半经验模型来考虑肖特基势垒降低效应。模拟结果表明,通过优化结构参数,其反向耐压可以高于4KV而正向导通电阻为8.3mΩcm2。
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