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MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响

来源 :第十二届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：beryl1830

【作 者】

：

滕龙 郑有蚪 张荣 谢自力 刘斌 陶涛 张曌 李烨操 陈鹏 韩平 

【机 构】

：

江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京大学电子科学与工程学院,江苏省南京市汉口路22号 21009

【出 处】

：

第十二届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2012年8期

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