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Atomic Layer Deposition of Pb(Zr,Ti)Ox Films Composited as Ferroelectric and Multiferroic Materials
【作 者】
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【机 构】
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Material Science Center, Institute of Semiconductors, Beijing 100083, P.R.China;Department of Chemic
【出 处】
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第十二届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2012年8期
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会议
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
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