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不同Ga组分的ZnO材料外延生长与特性研究
【机 构】
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中山大学物理科学与工程技术学院,广州510275 中山大学半导体照明器件系统研究中心,广州5100
【出 处】
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第十二届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
会议
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