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高压发光二极管研制以及应用研究
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室,510631 鹤山丽得
【出 处】
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第十二届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2012年8期
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会议
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
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