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不同的衬底弯曲度(bow)值对GaN基LED芯片参数的影响
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院,吉林省长春市前进大街2699号 130012 大连理工大学物理与光电工
【出 处】
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第十二届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
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