【摘 要】
：
本文从快恢复二极管的理论原理开始阐述,研究和探讨二极管反向恢复时间、正向压降、反向击穿电压等各参数之间的关系和设计思路,对快恢复二极管的各项参数特性以及测试原
【机 构】
：
中国振华集团永光电子有限公司,贵阳550018
【出 处】
：
2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
论文部分内容阅读
本文从快恢复二极管的理论原理开始阐述,研究和探讨二极管反向恢复时间、正向压降、反向击穿电压等各参数之间的关系和设计思路,对快恢复二极管的各项参数特性以及测试原理进行了较为详细的介绍,并对比目前国内外主流快恢复二极管结构之间的优缺点.文章以目前中国振华集团永光电子有限公司正在研制生产的玻璃钝化快恢复整流二极管为例,对大功率快恢复二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析,联合实际生产试验,确定了合理的结构参数和先进的工艺流程.选用合适的电阻率和厚度的n型直拉硅单晶片,采用外延和扩散相结合的方式,精确控制基区宽度形成p+nn+结构；采用铂液态源扩散降低少数载流子寿命τ从而缩短反向恢复时间tn；双面蒸铝进行金属化；喷沙机械造型和化学腐蚀形成台面提高反向击穿电压；玻璃钝化保护pn结减小表面污染从而降低表面漏电流提高耐压等技术,得到较为理想的反向击穿电压VBR,正向压降VF,反向恢复时间tn三参数之间的折衷.本课题制作出的玻璃钝化实体封装样管达到了反向击穿电压V(BR)(IR=100 μA)在900V以上,正向压降VF (IFM=9A)达到了1.3 V以下,反向恢复时间tn(IF=0.5 A,IR=1A,IREC=0.25A)在150 ns以内的水平.
其他文献
见到韩雪,是在偶像剧《爱情占线》位于杭州大剧院的片场里,她蹬着一双10厘米高的细高跟鞋敲击出清脆的声音,把170厘米高的身材衬得更加与众
See Han Xue, is in the idol dr
提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分析，指出其缺点，并在此基础上提出了一种改进的
我对当代文坛大师贾平凹很钦佩,遇上陕西的同志免不了打听他。7月,我到广州参加文联基层工作会议,同商洛宣传部副部长、文联主席董发亮坐在一起,他有声有色地给我讲到贾平凹
本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了
为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传
本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化；1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率M
迈克·杰克逊,一位伟大的啤酒猎人。或许他的名字稍逊于与其同名的流行歌手迈克·杰克逊,但在啤酒世界里,他却是位巨人。2007年8月30日,啤酒猎人迈克·杰克逊因心力衰竭死于
截止频率是RFLDMOS在应用中的重要特征,本文分析了在正常工作情况下影响器件截止频率的主要因素,并主要讨论了LDMOS漂移区与沟道的参数对其内部寄生电容与跨导的影响,准
本文通过对恒流二极管结构及其特性的介绍，分析了恒流二极管工作及其电流维持恒定的原理；基于耗尽型MOS产品设计流片的CRD参数满足应用需求，对恒流二极管的应用及未来的市场
50 A车用雪崩整流二极管是专用于汽车发电机输出端的关键器件。本文简述了50 A车用雪崩整流二极管的技术特点，介绍了器件的结构，并探讨了器件技术创新点及实现的技术指标。