切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
[!--class.name--]论文
[!--title--]
[!--title--]
来源 :中国食品 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
迈克·杰克逊,一位伟大的啤酒猎人。或许他的名字稍逊于与其同名的流行歌手迈克·杰克逊,但在啤酒世界里,他却是位巨人。2007年8月30日,啤酒猎人迈克·杰克逊因心力衰竭死于
【作 者】
:
Michel Lens
米歇尔·兰斯
【出 处】
:
中国食品
【发表日期】
:
2007年22期
【关键词】
:
克逊
流行歌手
啤酒酿造
淡色啤酒
devoted
约克郡
magazine
vocabulary
品鉴
authority
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
[!--newstext--]
其他文献
美国梨产业概况及砧穗组合评价与利用
美国梨产量位居世界第2位,商业生产主要集中在美国西北部,其中华盛顿州和俄勒冈州占美国梨总产量的77%,但美国梨种植面积、单产和消费量都呈下降趋势.随着梨管理和劳动力成本
期刊
美国
梨
矮化砧木
砧穗组合
高密度栽培
1994年1月份全国疾病监测点35种法定传染病疫情动态简介
1994年1月份全国疾病监测点35种法定传染病疫情动态简介流研所疾病监测组1994年1月份全国疾病监测点35种法定传染病疫情动态简介$流研所疾病监测组... January 1994 National Disease Surv
期刊
疫情动态
疾病监测点
基于高能离子注入的双通道LDMOS的设计
LDMOS是功率集成电路的主要功率器件.本文在已成功设计的700 V Double RESURF LDMOS基础上,提出了采用高能离子注入工艺制作双通道LDMOS的方法.利用TCAD仿真软件对主要的
会议
高能离子注入
双通道
LDMOS
比导通电阻
功率集成电路
RESURF
功率器件
流片测试
2500V Planner NPT IGBT的设计
本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT IGBT
会议
IGBT
NPT
绝缘栅双极型晶体管
bipolar transistor
阈值电压
通态压降
击穿电压
Medici软件
“冰美人”韩雪
见到韩雪,是在偶像剧《爱情占线》位于杭州大剧院的片场里,她蹬着一双10厘米高的细高跟鞋敲击出清脆的声音,把170厘米高的身材衬得更加与众 See Han Xue, is in the idol dr
期刊
韩雪
杭州大剧院
偶像剧
霍建华
表演系
陈道明
情感纠葛
本科班
上海戏剧学院
窦智孔
VDMOS过温保护功能的实现
提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分析,指出其缺点,并在此基础上提出了一种改进的
会议
垂直双扩散金属氧化物半导体器件
过热保护功能
结构改进
仿真分析
性能评价
贾平凹要钱不要“家”
我对当代文坛大师贾平凹很钦佩,遇上陕西的同志免不了打听他。7月,我到广州参加文联基层工作会议,同商洛宣传部副部长、文联主席董发亮坐在一起,他有声有色地给我讲到贾平凹
期刊
文联主席
书画集
基层工作
副部长
真时
想当初
书法作品
山骨
穆子
卷纸
1700V Planar NPT IGBT的设计
本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了
会议
绝缘栅双极型晶体管
工艺参数
优化设计
计算机模拟
基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件
为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传
会议
深槽刻蚀
刻蚀工艺
VDMOS器件
特征导通电阻
开关电源系统
同类产品
体二极管
实测结果
功率MOSFET概述
本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段:1998年之前,主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始,引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率M
会议
功率半导体技术
MOSFET
中国
性能分析
填充技术
结构优化
技术发展
VDMOS
与本文相关的学术论文