基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件

• 作 者: Cao Pengfei Zhu Jing Qian Qinsong Sun Weifeng 曹鹏飞 祝靖 钱钦松 孙伟锋
• 机 构: National ASIC System Engineering Research Center,Southeast University,Nanjing 210096,China
• 出 处: 2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
• 发表日期: 2011年期
• 关键词: 深槽刻蚀 刻蚀工艺 VDMOS器件 特征导通电阻 开关电源系统 同类产品 体二极管 实测结果

　　为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传统VDMOS器件的“硅限”,在保证击穿电压的同时,实现了特征导通电阻约为25 mΩ.cm-2.而且其动态性能和耐受性接近或超过了国外同类产品,如漏源额定电流值为10A的器件工作在雪崩态的电流峰值可达10.28 A,在体二极管反向恢复过程中di/dt高达500 A/μs时器件仍可正常工作.