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【摘 要】
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本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年8期
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