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提出了一种内部集成了过热保护功能的VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。文中对传统过热保护原理进行了分析，指出其缺点，并在此基础上提出了一种改进的适用于功率器件过热保护的结构，并详细分析其实现原理。仿真结果表明：该器件具有过热保护阈值点可调，保护模式下器件的关断和开启速度快的特点，并且其热滞回功能可有效防止热振荡。集成于芯片内部的过热保护功能大大提高了VDMOS的可靠性。