【摘 要】
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本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用法国Riber公司SIVA32型分子束外延设备制备的
【机 构】
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信息产业部电子24所,模拟集成电路国家重点实验室(重庆)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
本文介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的锗硅/硅(SiGe/Si)结构的异质结双极晶体管(HBT)的研制.在该项研究工作中,SiGe/Si薄膜是用法国Riber公司SIVA32型分子束外延设备制备的.在SiGe异质结双极晶体管的研制中,采用3微米工艺技术.实验结果表明,SiGe异质结双极晶体管的直流特性和截止频率都令人满意.当集电极电压Vc=2V和集电极电流Ic=5mA时,HBT器件的电流放大系数β=50.晶体管的截止频率f<,T>=5.1GHz;并且,截止频率的均匀性相当好.
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