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本文应用带电粒子活化分析,通过<16>O(<3>He,P)<18>F反应,测量<18>F的放射性,进行了重掺杂硅单晶中氧含量的测量.
重掺杂硅单晶中氧含量的带电粒子活化分析
【摘 要】
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本文应用带电粒子活化分析,通过O(He,P)F反应,测量F的放射性,进行了重掺杂硅单晶中氧含量的测量.
【机 构】
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河北工业大学材料学院(天津)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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