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本文主要研究了6″P型(100)直拉硅单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系,并在不同的生长条件下研究了微缺陷与晶体生长热历史之间的关系.实验结果表明,间隙氧严重影响到微缺陷的密度,拉速同样影响微缺陷,拉速愈大,则缺陷密度增加尺寸减小.1200℃高温退火4～6h可消除微缺陷.
φ6″P型(100)CZSi单晶中微缺陷的研究
【摘 要】
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本文主要研究了6″P型(100)直拉硅单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系,并在不同的生长条件下研究了微缺陷与晶体生长热历史之间的关系.实验结果表明,间隙氧严重影响到微缺陷的密
【机 构】
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河北工业大学半导体材料研究所(天津)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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