【摘 要】
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应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-AlO/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-AlO/Si外延生长,单晶衍射法证明它们的结晶关系是(100)γ-AlO//(100)
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,材料科学中心(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-Al<,2>O<,3>/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al<,2>O<,3>/Si外延生长,单晶衍射法证明它们的结晶关系是(100)γ-Al<,2>O<,3>//(100)Si,[010] γ-Al<,2>O<,3>//[010]Si. γ-Al<,2>O<,3>/Si单晶薄膜与初底的热胀系数的差异 引起界面硅产生大量Cottrell位错.这给于我们一种提示,在能长出单晶膜的条件下,尽可能降低外延生长温度.
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