基于氧化镓薄膜的光电器件研究

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Susan616
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  本文利用激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜,并分别对薄膜的结构,光学以及光电性能进行了研究.XRD分析结果显示,该薄膜具有(-2 0 1)取向,高分辨透射电镜(HRTEM)和反射高能电子衍射(RHEED)图像表明薄膜具有很好的外延性.通过紫外可见吸收(UV-Vis)谱分析得到薄膜的禁带宽度~5.02 eV.利用这种薄膜制备出了金属/半导体/金属(MSM)结构的光电探测器原型器件,测试结果显示,在254 nm光照射下,器件具有明显的光电响应.研究结果还表明通过调控氧空位,可实现金属/薄膜界面在欧姆接触和肖特基接触转变,当电极与薄膜之间为肖特基接触后,器件的光电响应性能大大提高.本研究的结果表明了该薄膜在日盲型紫外光探测器方面有着潜在的应用.
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