【摘 要】
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近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺陷区的过早合拢并不利于最大限度提升薄膜质量,且纳米图形复杂、昂贵的制备工艺也不利于NHE技术的大规模应用.本文中,运用碳纳米管(CNT)掩膜实现了NHE技术改进,将微米级和纳米级两种选区生长技术的优势进行融合,显著提高了GaN薄膜的质量,并且具有掩膜工艺简单和低成本的特点,大大提高了NHE技术产业化应用的可能性.
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