高质量AlN的MOCVD生长研究

• 作 者: 张骏;吴峰;王帅;陈景文;龙瀚凌;戴江南;陈长清;
• 机 构: 华中科技大学/武汉光电国家实验室,武汉,430074
• 出 处: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
• 发表日期: 2015年期

近年来,第三代Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体AlGaN基各类器件的应用领域不断拓展.由于同质衬底的缺乏,目前大多数的AlGaN基器件均外延于蓝宝石衬底上.然而,蓝宝石衬底与氮化物材料存在较大的晶格失配与热失配,这势必会导致高的缺陷密度(109cm-3).虽然当前GaN自支撑衬底在快速发展中,但是AlGaN的晶格常数小于GaN,在其上生长的AlGaN基材料与器件由于受到张应力的作用很容易开裂,因此,如何在蓝宝石衬底生长出高质量的AlN厚膜是目前的研究热点之一.本文中，采用中高温层交替插入技术，通过不断优化MOCVD生长条件，获得了高质量的AlN厚膜，厚度达到3微米且无开裂，XRD测试结果表明其(0002)及(10-12)面的半高宽分别为32和239。其次，通过多种测试手段研究中温插入层对于AlN厚膜生长的作用。该研究为AlGaN基探测器，UV-LED等各类器件的研制提供了基础研究。