【摘 要】
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在GaN的MOCVD外延生长中,其表面生长机理仍不清楚,何种粒子到达表面,粒子在表面吸附的位置以及表面如何扩散和结合仍有待回答.另外GaN表面因其晶向不同而展现出不同的生
【机 构】
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江苏大学能源动力学院,江苏,镇江 212013
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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在GaN的MOCVD外延生长中,其表面生长机理仍不清楚,何种粒子到达表面,粒子在表面吸附的位置以及表面如何扩散和结合仍有待回答.另外GaN表面因其晶向不同而展现出不同的生长过程.本文针对GaN生长的表面过程,本文利用简化的表面超晶胞模型和DFT计算,对Ga、N原子的吸附扩散以及表面反应路径做了初步研究.首先,通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-N面的Top、Bridge、H3、T4四种吸附位的能量发现,GaCH3的最稳定吸附位为H3,吸附稳定性依次为H3、Bridge、Top、T4.NH3由于分子中的H与表面的N相互作用,所以不能在上述期望的位置形成稳定的吸附.另外,从数学统计和优先顺序的角度,讨论了氨气的覆盖率问题,发现在理想情况下,氨气在GaN(0001)-Ga面的覆盖率为2/3ML.
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